MOSFET单管、模组CV特性测试分析,IGBT单管、模组CV特性测试分析,晶圆CV特性测试分析,芯片分布电容CV特性测试分析。
性能特点:测量参数:Ciss、Coss、Crss、Rg(MOSFET)Cies、Coes、Cres、Rg(IGBT),通道数:2-6,VGs范围:0-士40V,Vps范围:0-+200V1+1500V13000V测试频率:1kHZ-2MHZ。
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